李健 高級工程師
學歷學位：博士研究生
導師類別：碩士生導師
研究方向：傳熱學,，空氣動力學，流體力學,，計算流體力學,，半導體外延裝備及材料
聯(lián)系方式：lijian_sci@163.com
學習與工作經(jīng)歷
學習經(jīng)歷：
2015 年 9 月-2018 年 6 月 中山大學 光學工程 博士
工作經(jīng)歷：
2011 年 6 月-2012年 12月 明陽智慧能源集團股份公司
2012年 12月-2015年8月 佛山市中山大學研究院
2018 年 9 月-2021 年 9 月 中山大學 博士后
2022年3月-至今 佛山科學技術(shù)學院 特聘青年研究員
科研項目
主要主持及參與的項目：
1、GaAs系MOCVD外延工藝仿真系統(tǒng)開發(fā)及設(shè)備技術(shù)優(yōu)化研究,，中山德華芯片技術(shù)有限公司,，企業(yè)橫向，210萬,，在研,；
2、砷化鎵空間太陽電池MOCVD外延化學反應(yīng)機理及工藝參數(shù)研究,，博士后科研啟動基金,，30萬，在研,；
3,、廣東省重點領(lǐng)域研發(fā)計劃項目，六英寸碳化硅晶圓高溫氧化爐多片機研發(fā),，2021B0101300005,，1000萬，在研,，參與,，排名第二 ；
4、鋰電池涂布漿料擠壓模頭的流場分析,，東莞致宏精密模具有限公司,，企業(yè)橫向，20 萬,，在研,；
5、大流量超聲氧氣傳感器技術(shù)開發(fā),，慧傳科技（珠海）有限公司,，企業(yè)橫向，22 萬,，結(jié)題,；
6、氧化物半導體器件的電極制備技術(shù)開發(fā),，上海您惦半導體科技有限公司,，企業(yè)橫向，20 萬,，結(jié)題,；
7、廣東省電子功能材料與器件重點實驗室開放基金-面上項目,，氧化鋅基半導體薄膜材料 MOCVD 外延生長化學反應(yīng)機理的研究,，EFMD2020005M，結(jié)題,，主持 ,；
8、廣東省重點領(lǐng)域研發(fā)計劃項目,，氧化鋅基半導體薄膜材料 MOCVD 智能外延生長系統(tǒng)開發(fā)，2019B010132002,，500萬,，結(jié)題，參與,，排名第二 ,；
9、氧化物MOCVD反應(yīng)腔的開發(fā),，上海您惦半導體科技有限公司,，企業(yè)橫向，30萬,，結(jié)題,；
10、空調(diào)機模型零件自動識別程序開發(fā)， 澳汰爾工程軟件有限公司,，企業(yè)橫向,，20 萬，結(jié)題,；
11,、廣東省重點領(lǐng)域研發(fā)計劃項目，新型氧化物半導體透明電極結(jié)構(gòu) AlGaInP 基紅光 LED 芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)及其產(chǎn)業(yè)化,， 2015B010132006,，500萬，結(jié)題,，參與,，排名第三；
論文成果
在《Renewable energy》,、《Ceramics International》,、《Physics of Fluids》等國際高水平期刊發(fā)表學術(shù)論文20余篇，其中TOP期刊期刊12篇,、SCI 1區(qū)4篇,，2區(qū)13篇。部分代表性成果列表如下：
[1] Dong Wang,Junyan Lao,Wenjia Xiao,Hengxu Qu,Jie Wang,Gang Wang ,and Jian Li*. Theoretical adjustment of metalorganic chemical vapor deposition process parameters for high-quality gallium nitride epitaxial films.Physics of Fluids, 2023,35, 033306.( SCI,IF:4.6,中科院大類2區(qū),小類1區(qū),，TOP期刊)
[2] Jian Li, Wenjia Xiao*, Xianjv Meng *, Rongjian Zhang. Experimental study on flow uniformity of cold He riser in a modular high temperature gas cooled reactor. Annals of Nuclear Energy,2023,181,109518.(SCI,IF:1.871中科院大類3區(qū),小類1區(qū))
[3] Jie Wang, Yi-cong He, Tie-Cheng Luo, Ya Li, Zheng Zhou, Bing-feng Fan, Jian Li*, Gang Wang*. Simulation and experimental verification study on the process parameters of ZnO-MOCVD.Ceramics International,2021,47,15471–15482.(SCI,IF 4.527,中科院1區(qū),TOP)
[4] Jian Li*,Chao Qin,Jie Wang and Gang Wang. Study on stability of cavity in metal–organic chemical vapor deposition calculation based on neural network method. Physics of Fluids,s 2022,34, 103611.(SCI,IF:4.6,TOP期刊中科院大類2區(qū),小類1區(qū))
[5] Jie Wang, Yi-cong He, Tie-Cheng Luo, Ya Li, Zheng Zhou, Bing-feng Fan, Jian Li*, Gang Wang*. Simulation and experimental verification study on the process parameters of ZnO-MOCVD.Ceramics International,2021,47,15471–15482.(SCI,IF:4.527,中科院大類1區(qū),TOP期刊)
[6] Jian Li, Ranhui Liu*, Peng Yuan, Yanli Pei, Renjing Cao*, Gang Wang*. Numerical simulation and application of noise for high-power wind turbines with double blades based on large eddy simulation model. Renewable Energy, 2020, 146, 1682-1690.(SCI,IF:8.608,中科院大類1區(qū),TOP期刊)
[7] Xianjv Meng, Ya Li, Zheng Zhou, Bing-feng Fan, Jian Li*.Evaluation of an accurate and consistent mathematical model of an elbow flowmeter derived from the Navier–Stokes equation, Physics of Fluids, 32, 117106 (2020). (SCI,IF:3.521,中科院大類2區(qū),小類1區(qū),TOP期刊)
[8] Jian Li, Ziling Wu , Yifeng Xu , Yanli Pei 1 and Gang Wang*. Stability Analysis of Multi Process Parameters for Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Reaction Cavity. Molecules , 2019, 24(5).(SCI,IF:4.527,中科院大類2區(qū),TOP期刊)
[9] Jian Li, Tiecheng Luo, Hantao Wen, Jiajia Deng, Mingyang Wu, Ya Li, Gang Wang, Yanli Pei*. Design and regularity research of MOCVD heating plate based on experiments and simulations[J]. Vacuum, 2020, 174:109174.(SCI,IF:3.946 ,中科院大類2區(qū))
[10] Jian Li, Jie Wang, Yanli Pe*i, Gang Wang*. Research and optimization of ZnO-MOCVD process parameters using CFD and genetic algorithm. Ceramics International, 2020, 46, 685-695.(SCI,IF:4.527,中科院大類1區(qū),TOP期刊)
[11] Jian Li, Tiecheng Luo, Jie Wang, Gang Wang, Yanli Pei*, Jiajia Deng. Design of a New MD-600C ZnO-MOCVD Reaction Cavity and Study of Process Parameters. International Communications in Heat and Mass Transfer, 2020. 110. 104394.(SCI,IF:5.683,中科院大類2區(qū))
[12] Jian Li, Jiandong Cai, Ziling Wu, Jie Wang, Yanli Pei*, Gang Wang*, Numerical simulation and study of the metal-organic chemical vapor deposition growth of ZnO film. Physics of Fluids, 2019, 31, 027104.(SCI,IF:3.514,中科院大類2區(qū),小類1區(qū), TOP期刊)
[13] Jian Li, Jie Wang, Jiandong Cai, Yifeng Xu, Bingfeng Fan, Gang Wang*. Study on the uniformity of ZnO films grown by MOCVD. Ceramics International, 2019, 11(45), 13971-13978.( SCI,IF:5.13,中科院大類1區(qū),TOP期刊)
[14] Jian Li, Jie Wang, Jiandong Cai, Gang Wang*. Numerical Simulation and Analysis of Process Parameters of GaN-MOCVD Reactor.International Communications in Heat and Mass Transfer, 2018. 91. 64–76. (SCI,IF:4.127, 中科院大類2區(qū),TOP期刊)
[15] Jian Li, Hanlin Gan, Yifeng Xu,Chaoyang Wang, Fenglong Gu*, Gang Wang*. Chemical reaction-transport model of diethylzinc hydrolysis in a vertical MOCVD reactor . Applied Thermal Engineering, 2018, 136, 108-117.(SCI,IF:6.309,，中科院大類2區(qū),TOP期刊 )
[16] Jian Li, Zeyuan Fei, Yifeng Xu, Jie Wang, Bingfeng Fan, Xuejin Ma and Gang Wang*. Study on the optimization of the deposition rate of planetary GaN-MOCVD films based on CFD simulation and the corresponding surface model. Royal Society Open Science, 2018, 5(2):171757.(SCI,IF:3.5,中科院大類3區(qū))
[17] Jian Li, Yifeng Xu, Xuejin Ma, Bingfeng Fan, Gang Wang*. Stability and process parameter optimization for a vertical rotating ZnO-MOCVD reaction chamber[J]. Vacuum, 2018, 149:60-68.(SCI,IF:3.946,中科院大類2區(qū),)
[18] Jian Li, Yuanjia Lai, Yifeng Xu, Zimin Chen, Yanli Pei, Gang Wang*. Process parameter analysis and parasitic reaction of ZnO grown through MOCVD. Vacuum, 2018.(SCI,IF:3.946,中科院大類2區(qū),)
[19] Jian Li, Hanlin Gan,Yifeng Xu, Chaoyang Wang,Feng Long Gu*and Gang Wang*. Chemical reaction-transport model of oxidized diethylzinc based on quantum mechanics and computational fluid dynamics approaches. RSC Advances, 2018, 8(2):1116-1123.(SCI,IF:3.919,中科院大類3區(qū) )
[20] Jian Li, Hanlin Gan, Yifeng Xu, Chaoyang Wang*, Yanli Pei*, Fenglong Gu, Gang Wang,Chemical reaction mechanism of ZnO grown using DEZn and N2O in MOCVD, CrystEngComm, 2018, 20, 6775-6785.(SCI,IF:3.382,中科院大類2區(qū))
專利成果
授權(quán)發(fā)明專利10項，實用新型專利8項,，軟件著作權(quán)5項,，部分成果列表如下：
[1] 發(fā)明專利：一種自動化工藝線的石墨料盤視覺定位系統(tǒng)，授權(quán),，專利號：ZL201810993735.7
[2] 發(fā)明專利： MOCVD 設(shè)備進氣裝置和反應(yīng)腔的結(jié)構(gòu)及該設(shè)備的薄膜生長方法. 授權(quán),，專利號：ZL 201710827333.5
[3] 發(fā)明專利： 一種 MOCVD 設(shè)備生長均勻性工藝參數(shù)的優(yōu)化方法，授權(quán),，專利號：ZL 201610850215.1.
[4]發(fā)明專利：一種 MOCVD 設(shè)備噴淋頭及包含其的 MOCVD 設(shè)備和進氣方式,授權(quán),，專利號： ZL 201611046665.1
[5] 發(fā)明專利：一種制備半導體外延片的 MOCVD 反應(yīng)裝置，授權(quán),，專利號： ZL201410558331.7
[6] 軟著：基于半導體MOCVD裝備的外延生長數(shù)據(jù)智能處理系統(tǒng). [CP/CD]. 著作權(quán)登記號:2022SR1108752
[7]軟著：基于機器學習的半導體真空鍍膜設(shè)備MOCVD的智能外延生長平臺. [CP/CD]. 著作權(quán)登記號:2022SR1101407
[8] 軟著：MD-600B MOCVD 入口工藝參數(shù)優(yōu)化平臺. [CP/CD]. 著作權(quán)登記號: 2018SR226256.
獲獎情況
2020年獲得廣東省科學技術(shù)獎二等獎
版權(quán)所有 Copyright ? 2018佛山大學 - 機電工程與自動化學院
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